Hege-stroom filmkondensator Snubber foar lasmasine (SMJ-TC)

Koarte beskriuwing:

Kondensatormodel: SMJ-TC

Eigenskippen:

1. Koperen moeren elektroden

2. Lytse fysike grutte en maklike ynstallaasje

3. Mylar tape winding technology

4. Droege harsvulling

5. Leech lykweardige searjeinduktânsje (ESL) en lykweardige searjeresistinsje (ESR)

Applikaasjes:

1. GTO-demper

2. Peakspanning en peakstroomabsorpsje en beskerming foar skeakelkomponint yn elektroanyske apparatuer

Snubber-circuits binne essensjeel foar diodes dy't brûkt wurde yn skeakelcircuits. It kin in diode beskermje tsjin oerspanningspiken, dy't ûntstean kinne tidens it omkearde herstelproses.

Stjoer e-post nei ús Download as PDF

Produktdetail

Produktlabels

Technyske gegevens

Bedriuwstemperatuerberik	Maks. Bedriuwstemperatuer., Top, maks: + 85℃ Temperatuer boppe kategory: +85℃ Temperatuer leger kategory: -40℃
kapasitânsjeberik	0.22～3μF
Nominale spanning	3000V.DC～10000V.DC
Kap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Wjerstean spanning	1.35Un DC/10S
Dissipaasjefaktor	tgδ≤0.001 f=1KHz
Isolaasjeresistinsje	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (by 20℃ 100V.DC 60S) C > 0,33 μF RS * C ≥ 5000S (by 20 ℃ 100V.DC 60S)
Wjerstean tsjin slachstroom	sjoch datasheet
Libbensferwachting	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Referinsjestandert	IEC 61071;

Eigenskip

1. Mylar-tape, fersegele mei hars;

2. Koperen moerliedingen;

3. Ferset tsjin hege spanning, lege tgδ, lege temperatuerferheging;

4. lege ESL en ESR;

5. Hege pulsstroom.

Oanfraach

1. GTO-demper.

2. Breed brûkt yn krêftelektronyske apparatuer as de pykspanning, pykstroom-absorpsjebeskerming.

Typysk sirkwy

Sketstekening

Spesifikaasje

Un=3000V.DC
Kapasitânsje (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasitânsje (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasitânsje (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasitânsje (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasitânsje (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70